XVI Международный конкурс научно-исследовательских и творческих работ учащихся

Старт в науке. Летняя площадка 2022

Исследование эффекта резистивного переключения в мемристорных структурах на основе эпитаксиальных пленок SiGe методом проводящей атомно-силовой микроскопии

• Авторы
• Руководители
• Файлы работы
• Наградные документы

Мельникова Н.М. 1

---

1Специализированный учебный научный центр Университета Лобачевского (СУНЦ ННГУ)

Круглов А.В. 1

---

1Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" Источник: http://www.unn.ru/sveden/common.php

Работа в формате PDF

1 MB

Автор работы награжден дипломом победителя II степени

Диплом школьникаСвидетельство руководителя

Введение

В современном мире ни одно электронное устройство не обходится без памяти. Элементы электронной памяти делятся на две группы: энергозависимая память (нуждается в постоянном источнике питания) и энергонезависимая память (может хранить данные без источника питания). К энергозависимой памяти можно отнести статическую оперативную память и динамическую оперативную память, а к энергонезависимой — магнитные жесткие диски и флэш-память.

Для длительного хранения информации используют элементы энергонезависимой памяти. Несмотря на широкое применение магнитных дисков и флэш-памяти, можно отметить ряд недостатков таких элементов памяти: ограниченные ресурсы, низкая скорость и быстрое приближение к своему пределу масштабирования. В связи с этим, ученые в последние десятилетия активно занимаются разработкой новых элементов энергонезависимой памяти с высокими рабочими характеристиками и возможностями масштабирования. На сегодняшний день, значительный интерес вызывают устройства резистивной оперативной памяти (англ. Resistive random access memory, RRAM), отличающиеся высокой скоростью работы и хорошей масштабируемостью менее 10x10 нм². Функционирование RRAM основано на эффекте резистивного переключения (РП). Ключевым элементом такой памяти является мемристор (от англ. memory resistor – резистор с памятью) — структура металл-диэлектрик-металл (МДМ), способная изменять проводимость изолирующего слоя в зависимости от приложенного напряжения и сохранять состояние с определённым сопротивлением длительное время без затрат дополнительной энергии.

В настоящий момент, широкому практическому применению мемристоров препятствует низкая стабильность параметров резистивного переключения. Еще одной проблемой в разработке мемристивных устройств является соотнесение результатов, полученных при макроизмерениях, с механизмами резистивного переключения, происходящими в нанометровом масштабе размеров. Поэтому для наблюдения за резистивным эффектом в таких объектах необходимы аналитические инструменты с высоким разрешением, одним из которых является метод атомно-силовой микроскопии (АСМ).

Контакт АСМ зонда к поверхности функционального слоя мемристорной структуры представляет собой удобную модельную систему для изучения закономерностей и механизмов процесса резистивного переключения в нанометровом масштабе, соответствующим размерам перспективных мемристивных устройств.

Цель работы:

Экспериментальное исследование эффекта резистивного переключения мемристорных структур на основе эпитаксиальных пленок SiGe методом проводящей АСМ.

Глава 1. Мемристор и эффект резистивного переключения

1. История мемристора.

История создания этого необычного элемента начинается в 1971 г., тогда американский профессор Леон Чуа [1] выдвинул и математически обосновал гипотезу о том, что есть четвертый базовый элемент электрических цепей наряду с индуктивностью, конденсатором и резистором. Леон Чуа рассматривал 4 фундаментальных параметров электронных цепей: напряжение (V), ток (I), заряд (q) и поток магнитного поля (φ). При этом, пары параметров связаны между собой простыми соотношениями, всего таких соотношений может быть шесть (Рис.1). Так, резистор (сопротивление) реализует взаимосвязь силы тока и напряжения, конденсатор (ёмкость) – напряжения и заряда, катушка индуктивности – магнитного потока и силы тока, заряд q это интеграл по времени от тока, а связь между напряжением и магнитным потоком определяется через закон электромагнитной индукции Фарадея. Где же шестое соотношение? На этот вопрос ответил Л. Чуа, предположив, что эти величины связаны через "недостающий" элемент мемристор, обладающий "мемристивностью" M: dφ=M·dq (Рис.1). Чуа показал, что в общем случае мемристивность должна зависеть от q. Если воспользоваться соотношениями dφ=V·dt и dq=I·dt, то можно записать связь между током и напряжением на мемристоре в виде: V=M(q)·I)

Очевидно, что в случае M=const, мемристивность представляет собой обычное сопротивление и соотношение (1) превращается в закон Ома для участка цепи.

Рис.1. Соотношения между четырьмя фундаментальными электрическими переменными и двухполюсниками, связывающими эти переменные.

Стоит отметить, что достаточно много работ демонстрировавших эффект резистивного переключения в различных материалах были опубликованы до 1971 года (в 1962 [2], в 1960 [3]), однако авторы этих работ не называли наблюдаемое поведение мемристивностью.

Ситуация радикально изменилась в 2008 году, когда группа исследователей из компании Hewlett Packard во главе со Стэнли Уильямсом создала мемристорную структуру на основе тонкого слоя (50 нм) полупроводящего материала TiO_х, размещенного между двумя металлическими электродами [4] (Рис. 2а).

Первоначально пленка на основе TiO_х состоит из двух слоев: слой TiO_2-x с легирующей примесью (положительные ионы), диэлектрик TiO₂ не обедненный атомами кислорода (Рис.2а).

Рис.2. Структура мемристора компании Hewlett Packard (а), его эквивалентная схема (б). Смещение границы областей при дрейфе заряженных ионов – сопротивление уменьшается (в), сопротивление растет (г).

Кислородные вакансии действуют как носители заряда, а это означает, что один из слоев имеет более низкое сопротивление, чем другой слой. Следуя из этого, мы можем полное сопротивление данного устройства представить как сумму сопротивлений двух переменных резисторов, соединенных последовательно (Рис.2б). Один из резисторов (проводящая область – недоокисленный слой TiO_2-x) имеет низкое сопротивление R_ON, другой (диэлектрик – TiO₂) – намного более высокое сопротивление R_OFF. При появлении напряжения заряженные ионы начинают дрейфовать, и граница между двумя областями смещается. Пропуская ток в положительном направлении, зона с недостатком кислорода растет, а зона с TiO₂ уменьшается (Рис.2в). В литературе этот процесс обозначают как SET (включение). Таким образом, при данной полярности приложенного напряжения МДМ-структура находится в состоянии с низким сопротивлением (СНС, англ. Low Resistance State LRS). Приложение напряжения обратной полярности будет приводить к обратной ситуации, то есть структура будет переходить в состояние с высоким сопротивлением (СВС, англ. High Resistance State, HRS). Этот процесс называют RESET (выключение) (Рис.2г).

Сопротивление мемристора, таким образом, зависит от прошедшего через него суммарного заряда. Если к мемристору приложить напряжение, то его вольтамперная характеристика (ВАХ) будет иметь вид гистерезиса (Рис.3). Элемент, который обладает такой ВАХ обладает возможностью «запоминать», не требуя постоянного напряжения.

Рис.3. Вольтамперная характеристика мемристора с указанием определяющих точек.

2. Параметры мемристорных структур как элементов памяти.

Режим работы мемристора в схемах определяют его рабочие (управляющие) напряжения: V_F – напряжение электроформинга; V_SET (V_ON) – напряжение записи; V_RESET (V_OFF) – напряжение стирания; V_R – напряжение считывания.

Управляющим напряжениям соответствуют протекающие через прибор токи, причем при напряжении считывания V_R необходимо измерять два тока: ток в высокоомном (I_HRS) и низкоомном (I_LRS) состояниях. Общий список требуемых параметров мемристоров как элементов энергонезависимой резистивной памяти приведен в Таблица 1 [5].

Таблица 1. Требуемые параметры мемристоров для использования в RRAM.

3. Механизмы протекания тока в RRAM.

К настоящему времени механизмы проводимости в RRAM подразделяются на две основные категории: интерфейсные (сопротивление в СНС зависит от площади ) и филаментарные.

Очевидно, что в описанной выше модели резистивного переключения мемристора на основе TiO_х дрейф заряженных ионов происходит по всей площади структуры, значит, сопротивление мемристора должно зависеть от площади металлических электродов (эффект масштабирования). Механизм резистивного переключения в таких материалах называют переключением интерфейсного типа.

Однако существует материалы, в которых спротивление не зависит от площади электродов, а значит, резистивное переключение происходит через образование нитеобразных проводящих каналов (филаментов) через весь слой диэлектрика, и определяется одним из активных филаментом. Такой механизм называется переключением филаментарного типа.

4. Использование дислокаций в качестве каналов проводимости.

Все механизмы резистивного переключения основаны на перестройке атомной структуры, происходящей в функциональном слое мемристора. Несмотря на то, что толщина изолирующего слоя в МДМ структуре мемристора может быть очень небольшой (от нескольких единиц до сотен нанометров), необходимо учитывать его реальную структуру и наличие в ней дефектов.

Дефекты в кристаллах [6] делятся на точечные, линейные и поверхностные. Умение контролировать дефекты в устройствах RRAM может приводить к стабилизации параметров резистивного переключения. Напротив, неконтролируемые дефекты в RRAM могут генерировать случайность и увеличивать внутреннюю энтропию.

Линейные дефекты в виде дислокаций возникают при росте кристаллов, их пластической деформации и при их дальнейшей механической обработке. Например, краевые дислокации (Рис.4а) представляют собой границы неполной (лишней) атомной полуплоскости.

При гетероэпитаксиальном росте пленок (например, Ge на Si) на их границе неизбежно образуются дислокации, если толщина пленки превышает некоторую критическую. Дислокации в пленке можно разделить на два класса: а) дислокации несоответствия, которые лежат в границе раздела пленка-подложка и компенсируют рассогласование параметров решетки (Рис.4б); б) прорастающие дислокации, которые пронизывают пленку и оканчиваются на ее поверхности (Рис.4в).

Рис. 4. Схематическое изображение краевой дислокации в кристалле (а). Образование дислокаций несоответствия на границе подложка-пленка (б) и переход дислокации несоответствия в прорастающую дислокацию (в).

Пространственное ограничение формы и латеральных размеров филаментов является одним из возможных решений для стабилизации параметров РП. Использование дислокаций в качестве каналов проводимости (филаментов) является весьма перспективным вследствие ограниченности латерального размера такого канала [7].

В работе [8] предложен новый тип мемристоров на основе неоксидного релаксированного эпитаксиального слоя твердого раствора Si_0.9Ge_0.1/Si(001) (авторы указанной работы назвали такие мемристорные структуры epitaxial random access memory — epiRAM). В данном типе мемристоров филаменты представляли собой цепочки атомов металла Аg, сосредоточенные в ядре прорастающих дислокаций в эпитаксиального слоя SiGe. Использование дислокаций в качестве каналов проводимости представляет большой интерес, поскольку их параметры можно контролировать, изменяя условия роста эпитаксиального слоя SiGe (толщину и состав слоя SiGe, температуру и скорость роста и т. д.), а также дислокации обеспечивают преимущественные пути диффузии в кристаллических твердых телах (Рис.5). Авторам этой работы удалось добиться высокой временной стабильности параметров РП, малого разброса параметров мемристоров и достаточно длительного времени хранения информации, что свидетельствует о перспективности данного подхода.

Рис.5. Концептуальная схема использования дислокаций SiGe epiRAM во время резистивного переключения.

Исследование резистивного переключения методом проводящей атомно-силовой микроскопии.

Основным методом исследования мемристорных структур является метод измерения ВАХ. На макро- или микро-электродах для измерения ВАХ обычно используются зондовые станции с диаметром щупа до 1 мкм.

Атомно-силовая микроскопия (АСМ) – метод исследования морфологии и локальных свойств поверхности твердого тела с высоким пространственным разрешением [9]. За последние 10 лет АСМ превратилась в широко распространённый инструмент, используемый для исследования свойств поверхности [10].

Если поверхность АСМ зонда является проводящей, и он находится в контакте с поверхностью образца, то между ними при приложении напряжения будет протекать электрический ток (рис. 6). Измеряться он может одновременно с отображением морфологии поверхности в контактной моде АСМ в режиме постоянной силы. Такая разновидность атомно-силовой микроскопии называется АСМ с проводящим зондом или проводящей АСМ.

Рис.6. а) Схема метода проводящей атомно-силовой микроскопии. б) Получаемые одновременно карты профиля поверхности и токовое изображение образца.

Зонд АСМ может контактировать с верхним металлическим электродом, реализуя в этом случае обычные измерения, подобные макроизмерениям мемристорных структур. Но главным преимуществом проводящей АСМ является то, что контакт зонда может осуществляться и к поверхности изолирующего слоя мемристорной структуры (без верхнего электрода). В этом случае проводящий зонд атомно-силового микроскопа играет роль проводящего подвижного электрода.

При приложении напряжения между зондом и нижним электродом структуры можно вызвать процессы SET и RESET в мемристорной структуре. Этот способ позволяет не только наблюдать проводящий филамент в каждом состоянии, но и анализировать эволюцию электрических свойств отдельных филаментов в зависимости от приложенного напряжения (непосредственно измерять вольт-амперную характеристику контакта зонда к филаменту).

Глава 2. Практическая часть работы.

Работа, к которой я присоединилась в рамках выполнения своей учебно-исследовательской работы, выполняется в рамках гранта РФФИ «Мемристорные структуры на основе эпитаксиальных слоев SiGe для энергонезависимой резистивной памяти и нейроморфных приложений» (№ 19-29-03026). Я выполняла часть научных исследований в серии запланированных экспериментов. В данной работе используется часть результатов, полученных творческим коллективом проекта до меня [11, 12], а так же приводятся результаты эксперимента, в которых принимала участие я сама.

1. Изготовление мемристорных структур на основе эпитаксиальных пленок SiGe.

В работе использовались структуры двух типов – 1) Ge/Si и 2) Si/Ge/Si. Эпитаксиальные тонкие пленки p-Ge/n+-Si(001), p-Si/p-Ge/n+-Si(001) были выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) Si с газовым источником Ge методом «горячей проволоки», разработанном в НИФТИ ННГУ. В качестве подложек использовались пластины монокристаллического n+-Si КЭМ-0,003 с ориентацией (001). Рост слоя не легированного Ge толщиной 100-200 нм с фоновой дырочной проводимостью проводился при температуре 300 ºС. В случае формирования структуры p-Si/p-Ge/n+-Si(001), на ЭС Ge наносился покровный слой Si (КДБ-20) толщиной 300 нм при температуре подложки 450ºC.

Нанесение верхнего металлического электрода после этапа селективного химического травления осуществлялось методом магнетронного распыления на постоянном токе. Толщина слоя серебра составляла ~ 40-50 нм.

Качество поверхности подложки кремния, выращенных ЭС Ge (в структуре p-Ge/n+-Si(001)) и Si (в структуре с верхним слоем i-Si/p-Ge/n+-Si(001)), а также промежуточного буферного слоя Si на образцах-спутниках контролировалось методом атомно-силовой микроскопии (Рис. 7а) в атмосферных условиях с помощью АСМ Solver Pro производства компании NT-MDT (Россия) в полуконтактном режиме с использованием Si кантилеверов ETALON HA_NC с радиусом кривизны острия < 10 нм.

Также метод АСМ использовался для определения толщины выращенных ЭС Si и Ge и толщины металлических электродов.

Исследования, выполненные ранее, показали, что для улучшения параметров мемристорных структур (снижение токов утечки, повышение отношения токов мемристора в состояниях с низким и высоким сопротивлением) необходимо увеличить сопротивление матрицы или существенно уменьшить поперечные размеры самого мемристора.

Рис. 7. Морфология поверхности эпитаксиального слоя p-Ge/n+-Si(001) до (а) и после селективного химического травления (б).

Для реализации первого варианта была предпринята попытка создания двухслойных структур типа Si/Ge/Si. Покровный слой слабо проводящего p-Si наносился на Ge для уменьшения токов утечки и обеспечения повышенного сопротивления мемристорных структур в СВС. Для реализации второго варианта на части образцов методом фотолитографии формировались мезы размерами 60х60 мкм².

2. Химическое травление поверхности для выявления дислокационных лунок травления

В настоящее время широкое распространение при изучении дислокаций получил метод избирательного (селективного) химического травления. Места выхода дислокаций на поверхность кристалла травятся специально подобранным травителем быстрее, чем окружающая дислокацию поверхность. В результате такого травления на поверхности кристалла возникают ямки травления.

Метод селективного травления использовался для выявления ямок травления, образованных в местах выхода прорастающих дислокаций на поверхность ЭС. С целью определения режима травления, обеспечивающего необходимую геометрию ямок, варьировался состав травителя, а также время травления. Использовалось следующие травители: хромовый травитель – CrO3:Н2O:HF 25гр:190 мл:210мл (для структур i-Si/p-Ge/n+-Si(001)); состав на основе плавиковой и уксусной кислот: HF:H2O2:CH3COOH (1:2:3) (для структур p-Ge/n+-Si(001)).

На поверхности наблюдаются характерные ямки (Рис. 7б) глубиной 30-70 нм и латеральными размерами 150-350 нм. Поверхностная плотность ямок около 10⁷ см^-2. При увеличении времени травления огранка выявляемых ямок делается более чёткой – для плоскости (100) кремния и германия квадрат с вершиной пирамиды в центре.

Изменяя условия травления, можно менять сопротивление мемристорной структуры в состоянии низкого сопротивления (Рис. 8), поскольку сопротивление дислокационной трубки, заполненной атомами металла, можно рассматривать как сопротивление металлического проводника , где ρ – удельное сопротивление, l – длина проводника, S – площадь поперечного сечения.

Рис. 8. Схема мемристорной структуры p-Ge/n+-Si(001) после селективного химического травления и нанесения верхнего металлического электрода.

3. Исследования резистивного переключения мемристорных структур на основе эпитаксиальных пленок SiGe методом проводящей АСМ.

Для исследования особенностей РП в отдельных филаментах, серебряные электроды удалялись с поверхности Ge распылением под скользящим углом падения (~3) ионами Ar+ с энергией 2 кэВ при помощи установки для ионной полировки Gatan Precision Ion Polishing System (PIPS). При этом частицы Ag оставались внутри лунок травления, которые являлись поставщиками атомов металла (Ag) в дислокацию, которые обеспечивали её проводящее состояние. На токовых изображениях поверхности структуры ЭС p-Ge/n⁺-Si(001) такие частицы отображаются в виде участков с увеличенными значениями тока, соответствующими ямкам травления (рис. 9б).

Рис. 9. Морфология поверхности (а) и токовое изображение (V_g = 4 В) (б) поверхности структуры Ag/р-Ge/n⁺-Si(001) после распыления верхнего электрода.

На рис. 10а представлена схема для проведения эксперимента по исследованию РП в отдельной металлизированной дислокации (мемристор с единичным филаментом). В эксперименте для контакта к отдельной дислокации использовался проводящий зонд АСМ марки HA_HR_DCP с радиусом кривизны острия ≈100 нм.

Рис. 10. Схема исследования РП в мемристорных структурах при помощи АСМ при контакте к отдельной лунке травления (а) и при контакте к металлическому электроду (б). 1 - АСМ кантилевер; 2 - алмазоподобное покрытие АСМ зонда; 3 - ямка травления; 4 - дислокация.

Измерения ВАХ производилось путём контактирования АСМ зонда в центре ямки травления с серебряным островком, который остался после ионного распыления макроскопического электрода (точка 1 на рис. 9 б) и контактировал с выходом дислокации. ВАХ вне дислокации измерялись при контакте АСМ зонда к внутренней поверхности ямок травления, в точках расположенных близко к краю лунок, где серебряный контакт был удалён полностью (точка 2 на рис. 9 б). ВАХ контакта АСМ зонда с точкой 1 демонстрировали выраженный гистерезис, типичный для биполярного энергонезависимого РП (рис. 11а).В точке 2 ВАХ контакта АСМ зонда имела нелинейный вид cо слабо выпрямляющим эффектом, при этом петли гистерезиса, связанные с резистивным переключением не наблюдались (рис. 11б).

Определены средние значения основных параметров РП устройств на одной дислокации: <V_SET> ~ 1 В; <V_RESET>= ~ -1.2 В; <I_СНС/I_СВС>  10³ при напряжении чтенияV_read = 0.1 В.

На структурах i-Si/p-Ge/n⁺-Si(001) также были выполнены измерения ВАХ, демонстрирующие эффект запоминания состояния в отдельных мезах (6060 мкм²) при контакте с ними проводящего АСМ зонда, который выступал

Рис. 11. Типичная ВАХ контакта зонда АСМ к поверхности структуры ЭС p-Ge/n⁺-Si(001) в ямке травления, в месте касания зонда оставшейся в лунке травления частицы металла (а) и в месте, где металл был удален (б). Типичная ВАХ контакта зонда АСМ к частице Ag в лунке травления структуры Ge/ n⁺-Si(001) (синяя кривая 1) и к верхнему контакту мезы на основе структуры Ag/i-Si/ p-Ge/n⁺-Si(001) (черная кривая 2) (в).

в качестве прижимного контакта к верхнемуAg электроду (смотри схему эксперимента на рис. 10б). ВАХ демонстрировали петли гистерезиса, характерные для РП биполярного типа (черная кривая 2 на рис. 11в), аналогичные контакту зонда к отдельному металлическому островку в ямке травления структуры Ge/n⁺-Si(001) (синяя кривая 1).

Это показывают, что РП в мемристорных структурах на основе ЭС Si/Ge определяется формированием проводящего филамента в отдельной дислокации под лункой травления вследствие дрейфа ионов Ag⁺ вдоль ядра дислокации под действием электрического поля и разрывом филамента вследствие диффузионного выхода атомов Agиз филамента (из дислокации).

На рис. 12 приведены морфология и токовое изображение поверхности верхних контактов мемристорной структуры Ag/i-Si/p-Ge/n+-Si(001) с мезами, в которой один из электродов был переведен с помощью АСМ зонда в состояние с низким сопротивлением (ON), тогда как окружающие его электроды оставались в исходном непроводящем состоянии (OFF).

Для начала работы мемристорные структуры Ag/i-Si/p-Ge/n+-Si(001) требовали процедуры формовки, которая проводилась путем приведения АСМ зонда в контакт с выбранным электродом и подачи напряжения с амплитудой ~6 В. В результате формовки происходило формирование проводящего Ag филамента замыкающего верхний электрод на проводящую Si подложку за счет электродиффузии ионов Ag из верхнего электрода в дислокацию, формирующуюся в слое Ge и прорастающую далее в слой слаболегированного Si.

Переключения мемристора между состояниями проводилось путем приложения пилообразных импульсов электрического напряжения между АСМ зондом и проводящей подложкой (отрицательных для перехода в СВС и положительных для перехода в СНС) с амплитудой 3 В. Следует отметить, что СВС и СНС сохраняются в структуре на всей площади под верхним контактом мемристорной структуры (рис. 12б).

Рис. 12. Морфология поверхности (а) и токовое изображение мемристорной структуры Ag/i-Si/p-Ge/n+-Si(001)с мезами 60х60 мкм².

Заключение

Полученные результаты показывают, что РП в исследованных мемристорных структурах на основе ЭС Ge определяется формированием и разрушением отдельного металлизированного филамента, прорастающего по дислокации от верхнего электрода мемристорной структуры до проводящей подложки.

Подробное изучение механизмов для резистивного переключения является актуальной и необходимой задачей для того, чтобы оптимизировать параметры мемристорных структур и характеристики резистивной энергонезависимой памяти. Это обеспечит появление новых элементов и приведет к пересмотру технической базы во многих областях электроники.

Списоклитературы

1. Chua L.O. Memristor – the missing circuit element. – IEEE Trans. Circuit Theory, 1971, vol. 18, pp. 507–519. doi: 10.1109/TCT.1971.1083337.

2. T.W. Hickmott. Low–Frequency Negative Resistance in Thin Anodic Oxide Films.-Journal of Applied Physics, 1962, vol. 33, no 9, pp. 2669–2682. doi: 10.1063/1.1702530

3. Крейнина, Г.С. Эмиссия и проводимость катода типа конденсатора/Г.С. Крейнина, Л.Н. Селиванова, Т.И. Шумская. – Текст: непосредственный// Радиотехника и электроника – 1960. – т. 5, № 8. – с. 1338–1341.

4. Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. The missing memristor found.-Nature letters, 2008, vol. 453, pp. 80–83. doi: 10.1038/nature06932

5. Мемристоры – новый тип элементов резистивной памяти для наноэлектроники. / А. Гудков, А. Гогин, М. Кик [и др.]. – Текст: непосредственный// Электроника: Наука, Технология, Бизнес. – 2014. – вып. 00137. – с. 156–162.

6. Павлов, П.В. Физика твердого тела/П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов – М., Высшая школа,1999. – 491с. – Текст: непосредственный

7. Sim H., Choi H., Lee D., Chang M., Choi D., Son Y., Lee E.-H., Kim W., Park Y., Yoo I.-K., Hwang H. Excellent resistance switching characteristics of Pt/SrTiO3 schottky junction for multi-bit nonvolatile memory application.- IEEE International Electron Devices Meeting, 2005, IEDM Technical Digest, pp. 758-761. doi: 10.1109/IEDM.2005.1609464.

8. Choi S., Tan S., Li Z., Kim Y., Choi C., Chen P., Yeon H., Yu S., Kim J. SiGe epitaxial memory for neuromorphic computing with reproducible high performance based on engineered dislocations.- Nature Materials, 2018, vol. 17, № 4, p. 335-340. doi: 10.1038/s41563-017-0001-5.

9. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии.Учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений./В.Л. Миронов; ИФМ РАН – г. Н. Новгород, 2004 г. - 110 с.

10. Парфенов, В. А. Атомно-силовая микроскопия и ее применения в науке, технике и реставрации / В. А. Парфенов, И. А. Юдин. — Текст : непосредственный // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». — 2015. — № 9. — с. 61-69.

11. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии / В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов [и др.]. — Текст: непосредственный // Письма в ЖТФ. — 2021. — Т. 47, вып. 15. — С. 23-26.

12. Filatov D.O., Shenina M.E.,Shengurov V.G. ,Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kruglov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A, Gorshkov O.N. Resistive Switching in Memristors Based on Ge/Si(001) Epitaxial Layers. - Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 14, pp. 1833–1835. doi: 10.1134/S1063782620140109